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BSZ120P03NS3E G /MOSFET P-Ch -30V -40A TSDSON-8 OptiMOS P3
BSZ120P03NS3E G的规格信息
BSZ120P03NS3E G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:40 A

Rds On-漏源导通电阻:9 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:3.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:25 V

Qg-栅极电荷:45 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:52 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.3 mm

系列:OptiMOS P3

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:22 S

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:23 ns

典型接通延迟时间:13 ns

零件号别名:BSZ120P03NS3EGATMA1 BSZ12P3NS3EGXT SP000709730

供应商BSZ120P03NS3E G
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